【百家大讲堂】中国工程院院士吴汉明作“中国芯”制造面临挑战和机会的主题报告


5cfef046ddad474aab970328b47b969b.jpg

12月14日下午,由北京理工大学主办、信息与电子学院和校科协共同承办的北理工“百家大讲堂”(第339期)在信息科学实验楼202报告厅举行。中国工程院院士吴汉明应邀作了“中国芯”制造面临挑战和机会的精彩报告。信息与电子学院、校科协负责人及师生共200多人参加了本次报告会。讲座由信息与电子学院副院长陈禾主持。

121e316ca81340db90224de638287327.png

副校长龙腾为吴汉明院士颁发了北理工“百家大讲堂”纪念证书。

444860cf70774f0cafc081869a005426.png

吴汉明院士首先介绍了芯片制造的主要工艺流程,随后从摩尔定律出发,分析了芯片代工技术的发展历程和面临的三大挑战,着重阐述了先进光刻工艺技术的原理和成套工艺技术能力的重要性。最后,他讲解了后摩尔时代的特征和技术发展方向以及我国芯片制造产业的机遇和发展思路。

吴汉明系统讲解了我国集成电路产业的大背景、瓶颈、技术方法以及未来发展方向,更让大家感受到了科学家执着的探索精神和深厚的科学造诣。同时,也深刻地认识到了在目前复杂的国际形势下,我国集成电路领域面临的多重挑战。


【主讲人简介】

吴汉明,中国工程院院士,浙江大学微纳电子学院院长。芯创智(北京)微电子有限公司董事长。

吴汉明院士,1976年毕业于中国科学技术大学;1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。曾在美国UC-Berkeley进行博士后研究,并先后入职Intel、中芯国际等公司作为技术骨干从事集成电路制造工艺研发,曾任中芯国际研发副总裁。

吴汉明院士长期工作在我国集成电路产业链重要环节,并作出突出贡献。主持、指导了包括国家重大专项的0.13微米至14纳米七代芯片工艺研发,负责攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,工艺集成后实现产业化。突破了长期以来我国高端芯片工艺完全依赖进口的制约,与世界水平差距明显缩小。负责我国首台刻蚀机研发项目的理论工作,并成功产业化。建立的非平衡低温等离子体混合模型/整体模型成为工艺理论依据,并作为教案被世界著名大学公开发行的教科书采用。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。曾获得“北京学者”“十佳全国优秀科技工作者” 和“全国杰出专业技术人才”等荣誉。作为主要成员,三次获国家科技二等奖,多次获省部科技奖。


分享到: